Русский физик родился 15 марта 1930 в Витебске.
Отец был «красным
директором» разных военных заводов, семью бросало из города в город.
Семилетку Жорес окончил на Сясьстрое (Урал), а в 1945 родители
переехали в Минск; здесь в 1948 Алферов окончил 42-ю среднюю школу,
где физику преподавал Я.Б.Мельцерзон – «учитель милостью божьей»,
ухитрившийся в разоренной школе, без физического кабинета, привить
ученикам интерес и любовь к своему предмету. По его совету Алферов
поступил в Ленинградский электротехнический институт на факультет
электронной техники. В 1953 он окончил институт и как один из лучших
студентов был принят на работу в Физико-технический институт в
лабораторию В.М.Тучкевича. В этом институте Алферов работает и
поныне, с 1987 – в качестве директора.
В первой половине 1950-х
годов лаборатория Тучкевича начала разрабатывать отечественные
полупроводниковые приборы на основе монокристаллов германия. Алферов
участвовал в создании первых в СССР транзисторов и силовых
германиевых тиристоров, а в 1959 защитил кандидатскую диссертацию,
посвященную исследованию германиевых и кремниевых силовых
выпрямителей. В те годы была впервые высказана идея использования не
гомо-, а гетеропереходов в полупроводниках для создания более
эффективных приборов. Однако многие считали работу над
гетеропереходными структурами бесперспективной, поскольку к тому
времени создание близкого к идеальному перехода и подбор гетеропар
казались неразрешимой задачей. Однако на основе так называемых
эпитаксиальных методов, позволяющих варьировать параметры
полупроводника, Алферову удалось подобрать пару – GaAs и GaAlAs – и
создать эффективные гетероструктуры. Он и сейчас любит пошутить на
эту тему, говоря, что «нормально – это когда гетеро, а не гомо.
Гетеро – это нормальный путь развития природы».
По известной физтеховской традиции Алферов многие годы сочетает научные исследования с преподаванием. С 1973 он заведует базовой кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (ныне Санкт-Петербургский электротехнический университет), с 1988 он – декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного технического университета.
Научный авторитет Алферова чрезвычайно высок. В 1972 он был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 – ее действительным членом, в 1990 – вице-президентом Российской академии наук и Президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.
Алферов – почетный доктор многих университетов и почетный член многих академий. Награжден Золотой медалью Баллантайна (1971) Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией Европейского физического общества (1972), медалью Х.Велькера (1987), премией А.П.Карпинского и премией А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999), премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001).
В 2000 Алферов получил Нобелевскую премию по физике «за достижения в электронике» совместно с американцами Дж.Килби и Г.Крёмером. Крёмер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов (Алферов и Крёмер получили половину денежной премии), а Килби– за разработку идеологии и технологии создания микрочипов (вторую половину).