|
Алферов поступил в
Ленинградский электротехнический институт им. В.И.Ленина("ЛЭТИ"), на
факультет электроники, по специальности электровакуумная техника. Закончил
институт Жорес Иванович в 1952 году.
С 1953 года
Жорес Алфёров работает в Физико-техническом институте РАН им. А.Ф. Иоффе,
возглавив его в 1987 году.
В 1961 году Жорес
Алфёров получил степень кандидата технических наука. В 1970 году он
получает степень доктора физико-математических наук.
В 1972 году Жорес Иванович стал профессором ЛЭТИ. С
1973 года стал заведующим кафедрой оптоэлектроники этого института.
В период с 1990 до 1991 года Жорес Алфёров занимал
должность вице-президента АН СССР и председателя президиума Ленинградского
научного центра.
В 1988 году Жорес Алфёров стал
деканом Физико-технического факультета Ленинградского политехнического
института.
С 1991 года Жорес Иванович Алфёров -
вице-президент РАН и председатель президиума Санкт-Петербургского научного
центра РАН.
Жорес Алфёров работает в области физики
полупроводников, квантовой и полупроводниковой электроники, технической
физики.
Жорес Иванович принимал участие в создании
первых советских транзисторов, фотодиодов и мощных германиевых
выпрямителей.
Жорес Алфёров открыл явление
сверхинжекции в гетероструктурах. Он показал, что в гетероструктурах можно
принципиально иначе управлять световыми и электронными потоками. Жорес
Иванович Алфёров открыл первые "идеальные" гетероструктуры: арсенид
алюминия - арсенид галлия (Al As - Ga As).
Жорес
Иванович создал полупроводниковые лазеры на основе двойных гетероструктур,
реализовал непрерывный режим генерации при комнатной температуре.
В результате работы Алфёрова появилось новое
направление - физика гетероструктур, а также оптоэлектроника и электроника
на их основе.
Жорес Алфёров - главный редактор
журнала "Письма в Журнал технической физики".
Жорес
Иванович Алфёров - автор более 50 изобретений и 500 научных работ, в том
числе трёх монографий.
Жорес Иванович награжден
оренами Октябрьской Революции, Ленина, "Знак Почета", Трудового Красного
Знамени, "За заслуги перед Отечеством" 3 степени, различными медалями СССР
и Российской Федерации, японской премией Киото (Kyoto Prize) за 2001 год.
Жорес Иванович Алфёров вместе с Гербертом Крёмером
удостоен Нобелевской премии по физике за 2000 год. Они вместе открыли
быстрые опто- и микроэлектронные компоненты на базе многослойных
полупроводниковых структур (полупроводниковых гетероструктур). На базе
этих технологий были созданы быстрые транзисторы и лазерные диоды.
|